科研进展丨自主设计建设的SiC外延片研发产线通过验收!

2020-08-12
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碳化硅(SiC)材料具有禁带宽度大(约Si的3倍)、热导率高(约Si的3.3倍或GaAs的10倍)、电子饱和迁移速率高(约Si的2.5倍)和击穿电场高(约Si的10倍或GaAs的5倍)等优点,是制备大功率、微波等高温高频器件的理想材料。SiC外延片是第三代半导体产业的关键材料。

目前高质量的SiC厚膜外延技术被Cree(美国)、英飞凌(德国)、昭和电工(日本)等国际著名公司垄断。大力发展SiC厚膜外延技术可弥补我们与国外的技术差距,避免在材料上形成新的“卡脖子”问题,为我国第三代半导体产业的快速发展提供有力支撑和保障。

松山湖材料实验室陈小龙研究员带领的SiC及相关材料团队克服诸多困难,历经近两年的努力,成功建设了一条SiC外延工艺研发产线。2020年7月29日,在实验室科研项目管理部组织下,验收专家组对团队的外延设备及外延片质量进行了技术验收。该外延设备的生长速度可达30-60微米/小时。对100微米外延片,其背景载流子浓度低于1´1014cm-3,表面粗糙度低于0.25 nm,膜厚均匀性偏差优于1%,载流子浓度均匀性偏差优于7%,表面缺陷密度最低可达0.05/cm2。验收专家组给予了高度评价,认为SiC及相关材料团队所生产的SiC外延片已经满足各项验收指标,该团队已经具备对外提供合格SiC外延片的能力。

SiC外延设备顺利验收和研发产线的成功建成,标志着松山湖材料实验室SiC及相关材料团队正式登上了SiC外延的舞台,成为该领域一颗冉冉升起的新星。团队将专注于大尺寸高质量SiC外延技术的研发,秉承“技术创新,全心服务”的精神,与行业上下游企业密切合作,共同推动我国第三代半导体产业的蓬勃发展。



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撰稿:SiC及相关材料团队


撰稿:未知