科研进展丨α-In2Se3/Te异质结中空间分辨的光诱导铁电极化

2024-08-08
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铁电材料是一类具有自发极化并且能在外电场作用下极化取向翻转的功能材料,在磁光存储、传感、压电和光电技术等方面具有重要应用。其自发极化特性为电子器件提供了稳定的存储和转换功能。光诱导铁电极化(Light-induced ferroelectric poling state, LIPS)是铁电材料的一个重要特性,通过入射光可改变材料的极化状态,进而影响其电学和光学性质。LIPS结合了自发极化和半导体光电导的特点,展示出丰富的物理内涵。与传统电场和力场调控相比,利用光场来控制铁电畴的极化方向具有显著的优势。它不仅更加便捷,而且具有快速、精准及微观尺度表达的特点。这使得光场调控在铁电材料的应用中具有更大的潜力和灵活性。此外,LIPS还具备局部铁电极化和快速切换特性,因此在高密度信息存储领域具有广阔的应用潜力。

然而,以往研究主要依赖压电响应力显微镜(PFM)等手段,从材料表征层面研究铁电材料的LIPS。尽管这类方法能够检测LIPS,但对样品表面的不规则和污染物较为敏感,可能影响测量的准确性。同时,虽然实验条件下已经观测到了LIPS现象,但将其应用于实际的光电存储器件仍然面临诸多挑战。为了充分发挥光诱导铁电材料的潜力,研究人员需要亟待开发新型的表征手段和实用化的光电器件,以实现高密度、长时间、高稳定的光电存储技术。

近期,松山湖材料实验室林生晃研究员团队设计并制备了α-In2Se3/Te异质结,旨在实现空间分辨的多值光电存储,并探索其在非易失性光电流技术中的应用,以解决高密度、长时间且高稳定光电存储技术的难题。即通过能带设计,层状α-In2Se3可与窄带隙的p型范德瓦尔斯半导体Te形成Ⅰ型异质结。得益于Te的能带匹配和适当的载流子浓度,该异质结能有效抑制暗电流,并仅允许α-In2Se3产生的极化光电流通过。利用新型光电原子力显微镜(PFM)和开尔文探针力显微镜(KPFM),成功观察到α-In2Se3在光照下的极化状态变化,并通过光电流扫描技术清晰展示了不同空间位置的LIPS。结果表明,该异质结在光极化后的光电流增强高达初始状态的1000倍,并且这种增强的光电响应性具有非易失性,静置时间超过一周仍保持稳定。

图 1  极化前后 α-In2Se3 异质结的空间分辨扫描光电流图及能带结构。(a) 器件的三维示意图, (b) 异质结的光学图像。(c-f) 在自供电模式下,异质结在极化前后的空间分辨扫描光电流图。(g-i) 零偏置电压下的 "强光写入和弱光读取" 机制。

此外,该器件在零偏压下亦能实现低暗电流和高光电流响应。同时通过“强光写入”和“弱光读取”提取光信息,在仅30 μm²的区域实现了168位的光信息读写。可以预期,通过进一步设计更小的受激光斑,有望进一步提升存储容量。这些创新成果充分展示了二维铁电半导体在光电探测器和高密度光电信息存储领域的巨大潜力,为其在实际应用中的广泛推广奠定基础。

图 2.展示了视觉传感器阵列中的光编码和解码过程。(a) 4 × 4 像素矩阵:其中的 α-In2Se3/Te 光电探测器阵列被设计成视觉传感器。该阵列可执行图像感应和记忆功能。(b) 光编码。(c) 光解码。(d) 探测器在不同时间零偏压光刺激(波长 520 nm,强度 11.3 μW cm-2)下的响应。

相关研究成果以“Spatially Resolved Light‐Induced Ferroelectric Polarization in α‐In2Se3/Te Heterojunctions”为题发表Advanced Materials上(Adv. Mater., 2024, 2405233)。其中,张凯(联培硕士生)、李浩哲(联培博士生)及沐浩然(副研究员)为第一作者,松山湖材料实验室林生晃研究员、沐浩然副研究员、上海理工大学鲍桥梁教授以及华南师范大学陈伟强教授为论文共同通讯作者,松山湖材料实验室为第一通讯单位。

原文链接

https://onlinelibrary.wiley.com/doi/abs/10.1002/adma.202405233 

撰稿:新型光电功能材料与器件团队